南京大學使用AAO模板結合創新的工藝過程，獲得了鐵電高分子材料納米陣列，用于數據存儲，相關結果發表在Adv. Funct. Mater. 相關結果對于AAO模板的應用有很大啟發作用，也表明了上木科技AAO模板產品的孔陣列的均勻性和產品可靠性。

      聚偏氟乙烯（PVDF）基鐵電高分子具有高達10μC/cm²的剩余極化值，因此在信息存儲中具有誘人的應用前景。其卓越的電性能來源于極性晶體結構及其在外加電場中的反轉或重新定向：極性的β型晶體的晶胞單元由兩條偶極指向同一方向的鋸齒形構象分子鏈組成，而偶極的方向會隨著外電場方向翻轉而翻轉（圖1）。與傳統的無機材料相比，鐵電高分子具有價格低廉、易加工、易彎折等諸多優點。目前，如何得到高密度、低缺陷的鐵電高分子陣列并表征其電性能，是研究的趨勢和難點。

（圖1）

      最近，南京大學沈群東教授領導的電活性高分子課題組制備了偏氟乙烯基鐵電高分子的超薄膜，并利用納米壓印技術，以多孔氧化鋁模板（AAO）為壓印模板對超薄膜進行加工，得到了高覆蓋率、大面積的鐵電高分子薄膜陣列。納米加工后的鐵電高分子鐵電高分子仍然保持了良好的鐵電性；利用壓電力顯微鏡探針施加電場，可以在鐵電高分子陣列上存儲信息（圖2）。納米壓印后的有機高分子鐵電納米薄膜能夠實現75 Gb/inch²的存儲密度。這一工作為鐵電高分子在微型化、陣列式的柔性有機電子器件的應用提供了新思路。

（圖2）

      研究成果發表《先進功能材料》 （Nano-imprinted ferroelectric polymer nanodot arrays potential for high density data storage (75 Gb inch^-2), Adv. Funct, Mater., 2013, 10.1002/adfm.201203042）。