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浙江大學利用AAO模板制備有序Ge點陣列 - 合作上木
發表時間:2013-04-03 閱讀次數:5034次

 

       2012年12月21日,浙江大學與我公司丁博士合作,使用我公司制備的孔徑為20-80nm超薄AAO模板作為掩膜,在Si(001)單晶上生長Ge的六角堆積點陣列結構,并且研究了其發光現象,取得不錯的進展,相關結果已經發表在Nanotechnology,其中我公司丁博士作為共同作者。

      下圖為利用AAO超薄模板制備的尺寸為(a)30nm,(b)50nm(c)70nm的Ge點陣列的FESEM圖片:

 

 

圖片引自:

Yourui Huangfu et al 2013 Nanotechnology 24 035302

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